PID van de het Carbideoven van het Controlesilicium de Vacuümthermische behandeling 150 Wattsstal

PID het Carbideoven van het Controlesilicium, Vacuümthermische behandelingsoven 150w

De Oventoepassing van het siliciumcarbide:

VacuümdieThermische behandelingsoven hoofdzakelijk voor herkristallisatie van siliciumcarbide wordt gebruikt

De Oven Hoofd technische prestaties en indicatoren van het siliciumcarbide

Maximum werkende temperatuur: 2450 ° C

Gemeenschappelijke temperatuur: 2400 ° C

Verwarmingsmethode: inductie het verwarmen

Werkend gas in de oven: stikstofargon

Temperatuuruniformiteit: ≤ ± 10 ° C

Volgens de behoeften van de het sinteren procestijd, kunnen de veelvoudige elektrische ovens in één enkele voeding worden geschikt, en het verwarmen en het koelen van de individuele ovens kunnen respectievelijk worden uitgevoerd om ononderbroken verrichting te bereiken.

Temperatuurmeting: WRe5/26 thermokoppel (0-1700 °C) + de dubbele colorimetrische infrarode thermometer van de V.S. RATEK (1000-3200 ° C); De zwart-wit infrarode thermometer van de V.S. RATEK (300-1100 ° C) + de dubbele verhouding Kleuren infrarode thermometer van de V.S. RATEK (1000-3200 ° C)

Temperatuurcontrole: PID intelligente programmacontrole en handcontrole

Superieure procesprestaties, die product tot kwaliteit maken een nieuwe stap

Het apparaat keurt gegevensverzameling en vertoningen met meerdere kanalen goed en werkt op de mens-machine interface. De werkende parameters zijn in een oogopslag duidelijk, is de verrichting eenvoudig, en de arbeidsintensiteit is laag;

Het apparaat heeft gegevensopname en het dumpen functies, en de gegevens kunnen door de historische kromme worden bekeken en kunnen naar het mobiele opslagmedium worden overgebracht;

Energy-saving, speciale rol en isolatiestructuur, stabiele machtsoutput en hoge elektroefficiency.